onsemi MUN5335DW1T1G
$ 0.057
Production
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +28.67%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi MUN5335DW1T1G.
Modelos CAD
Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de onsemi MUN5335DW1T1G desde uno de nuestros socios de confianza.
| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloFootprint | 3D | Descargar |
 EE Concierge | SímboloFootprint | ||
 SnapEDA | Footprint | Descargar |
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
onsemiMUN5233DW1T1G
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Dual NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
onsemiMUN5235DW1T1G
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R / TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Descripciones
Descripciones de onsemi MUN5335DW1T1G suministradas por sus distribuidores.
MUN Series 50 V 100 mA 2.2 kOhm NPN/PNP Dual Bias Resistor Transistor - SOT-363
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, NPN and PNP Complement, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
80@5mA,10V 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased 250mW 100mA 50V 500nA SOT-323-6 Digital Transistors ROHS
100 mA 50 V 2 CHANNEL NPN AND PNP Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
Brt Transistor, 50V, 47K/2.2Kohm, Sot363; Transistor Polarity:Npn And Pnp Complement; Collector Emitter Voltage Max Npn:50V; Collector Emitter Voltage Max Pnp:50V; Continuous Collector Current:100Ma; Base Input Resistor R1:2.2Kohm Rohs Compliant: Yes |Onsemi MUN5335DW1T1G.
The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. These digital transistors are designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. In the MUN5311DW1T1 series two complementary BRT devices are housed in the SOT-363 package which is ideal for low power surface mount applications where board space is at a premium.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +28.67%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-363-6
Contact PlatingTin
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating100 mA
Element ConfigurationDual
hFE Min80
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current100 mA
Max Power Dissipation385 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Operating Supply Voltage50 V
PackagingTape and Reel
PolarityNPN, PNP
Power Dissipation187 mW
Schedule B8541210080
Voltage Rating (DC)50 V
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi MUN5335DW1T1G.
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento