onsemi MSD602-RT1G
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | MSD602-RT1G | 2690 | 3K | 7h | ||||||||
| Arrow Electronics | MSD602-RT1G | 9 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | MSD602-RT1G | 3000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | MSD602-RT1GOSCT-ND | 2404 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Flip Electronics | MSD602-RT1G | 2690 | 6d |
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Este componente
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Price @ 1000
$ 0.043
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Stock
3,620,171
422,331
Authorized Distributors
6
2
Mount
-
-
Case/Package
SC
SC
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
-
Max Collector Current
500 mA
500 mA
Transition Frequency
-
200 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-
600 mV
hFE Min
40
40
Power Dissipation
200 mW
-
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-07-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descripciones
Descripciones de onsemi MSD602-RT1G suministradas por sus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
MSD602 Series 50 V 500 mA NPN General Purpose Amplifier Transistor - TO-39
600mV@ 30mA,300mA NPN 200mW 7V 100nA 60V 50V 500mA SC-59 2.9mm*1.5mm*1.09mm
TRANS, NPN, 50V, 0.5A, 0.2W, SC-59; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 200mW; DC Collector Current: 500mA; DC Current Gain hFE: 40hFE; Transisto
Bipolar Transistor, Npn, 50V; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:50V; Continuous Collector Current:500Ma; Power Dissipation:200Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi MSD602-RT1G
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
hFE Min40
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation200 mW
Schedule B8541210080
Voltage Rating (DC)50 V
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento