onsemi MSC2712GT1G
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-02-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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ROHMDTC143ZUAT106
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
Descripciones
Descripciones de onsemi MSC2712GT1G suministradas por sus distribuidores.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 100 mA, 200 mW, SC-59, Surface Mount
Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R / TRANS NPN 50V 0.1A SC59
Trans Bjt Single, Npn, 50V, 100Ma; |Onsemi MSC2712GT1G
onsemi NPNdigital transistor, SC-59encapsulation, SMD mount, Maximum DC collector current100 mA, maximum collector-emission voltage50 V
TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 50V, SC-59; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Transition Frequency ft: 50MHz; Power Dissipation Pd: 200mW; DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 200hFE; T
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency50 MHz
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation200 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency50 MHz
Voltage Rating (DC)50 V
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento