onsemi MPSH11
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.75
Introduction Date1977-07-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
LTB Date2011-09-14
LTD Date2012-03-14
Descripciones
Descripciones de onsemi MPSH11 suministradas por sus distribuidores.
Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin TO-92 Bulk
Bulk Through Hole NPN Single RF Transistor 60 @ 4mA 10V 50mA 350mW 650MHz
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-92
NPN 350mW 3V 30V 25V 50mA TO-92-3 Through hole mounting 5.2mm*4.19mm*5.33mm
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 25V; Transistor
Transistor; Transistor Type:RF Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Power Dissipation, Pd:0.35W; DC Current Gain Min (hfe):60; Package/Case:3-TO-92; C-E Breakdown Voltage:25V; DC Collector Current:0.05A; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes
NPN RF Transistor This device is designed for common-emitter low noise amplifier and mixer applications with collector currents in the 100 mA to 10 mA range to 300 MHz, and low frequency drift common-base VHF oscillator applications with high output levels for driving FET mixers. Sourced from Process 47.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-92
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight195 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage25 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)25 V
Continuous Collector Current50 mA
Current Rating50 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)3 V
Frequency650 MHz
hFE Min60
Max Collector Current25 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Output Power50 mW
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation310 mW
Transition Frequency650 MHz
Voltage Rating (DC)25 V
Dimensions
Height6.35 mm
Length6.35 mm
Width6.35 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento