onsemi MMBFJ211
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2000-12-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 years ago)
LTB Date2019-10-12
LTD Date2020-04-12
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
Descripciones
Descripciones de onsemi MMBFJ211 suministradas por sus distribuidores.
225mW 25V 1individualNChannel SOT-23-3 SMD mount 2.9mm*1.3mm*1mm
25V N-CH JFET SOT-23 ROHS COMPLIANT: YES
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
RF JFET Transistors NCh RF Transistor
IC SWITCH RF N-CH 25V 10MA SOT23
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET
This device is designed for HF/VHF mixer/amplifier and applications where Process 50 is not adequate. Sufficient gain and low noise for sensitive receivers. Sourced from process 90.
RF FET, N-CH, SOT-23; Drain Source Voltage Vds: -; Continuous Drain Current Id: -; Power Dissipation Pd: -; Operating Frequency Min: -; Operating Frequency Max: -; RF Transistor Case: SOT-23; No. of Pins: 3Pins; Operating Tempe
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Breakdown Voltage-25 V
Continuous Drain Current (ID)20 mA
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)-25 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation225 mW
Voltage Rating25 V
Voltage Rating (DC)25 V
Dimensions
Height1.11 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento