onsemi MMBFJ111
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1994-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
NXP SemiconductorsPMBFJ110,215
PMBFJ110 Series N-Channel 25 V Surface Mount Junction FET - SOT-23
NXP SemiconductorsPMBFJ175,215
Jfet Transistor, Junction Field Effect, Jfet, 30 V, 7 Ma, 70 Ma, 6 V, Sot-23 Rohs Compliant: Yes
Descripciones
Descripciones de onsemi MMBFJ111 suministradas por sus distribuidores.
MMBF Series N-Channel 35 V 20 mA SMT Low Noise Amplifier Switch - SOT-23-3
JFET Transistors; MMBFJ111; ON SEMICONDUCTOR; 1.3 mm; -35 V; 350 mW; Single
N-Channel Switch This device is designed for low level analog switching, sample and hold circuits and chopper stabilized amplifiers. Sourced from Process 51.
Transistor; Transistor Type:JFET; Transistor Polarity:N Channel; Breakdown Voltage, V(br)gss:-35V; Zero Gate Voltage Drain Current Min, Idss:20mA; Gate-Source Cutoff Voltage Max, Vgs(off):-10V; Package/Case:SOT-23 ;RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Breakdown Voltage-35 V
Continuous Drain Current (ID)20 mA
Current Rating20 mA
Drain to Source Resistance30 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)35 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)-35 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation225 mW
Schedule B8541210080
Voltage Rating (DC)35 V
Dimensions
Height1.11 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento