onsemi MJF44H11G
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Cadena de suministros
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Descripciones
Descripciones de onsemi MJF44H11G suministradas por sus distribuidores.
TRANSISTOR, BIPOLAR, SI, NPN, POWER, VCEO 80VDC, IC 10A, PD 36W, TO-220,HFE 40,VCEO 80V
Bipolar Transistors (BJT); MJF44H11G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 80 V; 10 A
MJF Series 80 V 10 A Flange Mount NPN Complementary Power Transistor - TO-220
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W NPN
Trans GP BJT NPN 80V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak Rail
Avnet Japan
10 A 80 V NPN Si POWER TRANSISTOR TO-220AB
80V 36W 10A 40@4A1V 50MHz 1V@8A400mA NPN -55¡Í~+150¡Í@(Tj) TO-220(TO-220-3) Bipolar Transistors - BJT ROHS
onsemi NPNTransistor, TO-220FPencapsulation, Through hole mounting, Maximum DC collector current10 A, maximum collector-emission voltage80 V
. . . for general purpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators converters and power amplifiers.
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 80V, TO-220-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80V; Transition Frequency ft: 50MHz; Power Dissipation Pd: 36W; DC Collector Current: 10A; DC Current Gain hFE: 40hFE; Transi
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)5 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating10 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency50 MHz
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min40
Max Collector Current10 A
Max Frequency50 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation35 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation2 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency50 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height16.129 mm
Length10.6172 mm
Width4.9022 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento