onsemi MJD31CITU
$ 0.197
Obsolete
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
0 modelos disponibles
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.APT13003DI-G1
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251
Descripciones
Descripciones de onsemi MJD31CITU suministradas por sus distribuidores.
3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
0 modelos disponibles
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-251
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight343.08 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency3 MHz
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min10
Max Collector Current3 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation15 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1.56 W
Transition Frequency3 MHz
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height9.85 mm
Length6.8 mm
Width2.5 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento