onsemi MJD253-1G
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Cadena de suministros
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-04-13
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 day ago)
LTB Date2023-06-15
LTD Date2023-12-15
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Componentes relacionados
onsemi2SB1216S-E
Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-251
onsemi2SB1216T-E
Bulk Through Hole PNP 3 Bipolar (BJT) Transistor 200 @ 500mA 5V 1muA ICBO 1W 130MHz
Descripciones
Descripciones de onsemi MJD253-1G suministradas por sus distribuidores.
TRANS PNP 100V 4A IPAK / Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 40MHz 1.4 W Through Hole I-PAK
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
4.0 A, 100 V PNP Bipolar Power Transistor
ON SEMI MJD253-1G PNP BIPOLAR TRANSISTOR, 4 A, 100 V, 3-PIN IPAK
Trans GP BJT PNP 100V 4A 1400mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
600mV@ 100mA,1A PNP 1.4W 7V 100nA 100V 100V 4A TO-251 6.73mm*6.22mm*2.38mm
Power Transistor, Pnp, -100V, I-Pak; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage Max:100V; Continuous Collector Current:4A; Power Dissipation:12.5W; Transistor Mounting:Through Hole; No. Of Pins:3Pins; Qualification:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi MJD253-1G
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-251
Number of Pins4
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating-4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency40 MHz
Gain Bandwidth Product40 MHz
hFE Min15
Max Collector Current4 A
Max Frequency10 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation12.5 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityPNP
Power Dissipation1.4 W
Transition Frequency40 MHz
Voltage Rating (DC)-100 V
Dimensions
Height2.38 mm
Length6.73 mm
Width6.35 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento