onsemi KSD560RTU
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 21 hours ago)
LTB Date2020-01-16
LTD Date2020-07-16
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 21 hours ago)
Componentes relacionados
onsemiKSD1589YTU
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
NXP SemiconductorsBUJ403A,127
Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 550V 6A 3-Pin(3+Tab)
Descripciones
Descripciones de onsemi KSD560RTU suministradas por sus distribuidores.
Transistor,bjt,darlington,npn,100V V(Br)Ceo,5A I(C),to-220Ab Rohs Compliant: Yes
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans Darlington NPN 100V 5A 1500mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)150 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage900 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Continuous Collector Current5 A
Current Rating5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
hFE Min2000
Max Collector Current5 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1.5 W
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height20.4 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento