onsemi KSD1408YTU
$ 0.607
EOL
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | KSD1408YTU | 1000 | 1924 | 20h | ||||||||
| Rochester Electronics | KSD1408YTU | 12.348 | 18h | |||||||||
| DigiKey | KSD1408YTU-ND | 6196 | 1 | Tube | ||||||||
| Verical | KSD1408YTU | 12.348 | 448 | |||||||||
| Flip Electronics | KSD1408YTU | 1000 | 6d |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-12-27
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2023-06-15
LTD Date2023-12-15
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Descripciones
Descripciones de onsemi KSD1408YTU suministradas por sus distribuidores.
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT NPN 80V 4A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
1.5V@ 300mA,3A NPN 25W 5V 30¦ÌA 80V 80V 4A TO-220F-3 10.16mm*4.7mm*19.1mm
Transistor, Npn, 80V, 4A, To-220F-3; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:80V; Transition Frequency Ft:8Mhz; Power Dissipation Pd:25W; Dc Collector Current:4A; Dc Current Gain Hfe:120Hfe; Transistor Case Rohs Compliant: Yes |Onsemi KSD1408YTU
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage450 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency8 MHz
Gain Bandwidth Product8 MHz
hFE Min120
Max Collector Current4 A
Max Frequency1 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation25 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency8 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height15.87 mm
Length10.16 mm
Width2.54 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento