onsemi KSC5502TU
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-04-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
onsemiKSC5502DTTU
Npn Triple Diffused Planar Silicon Transistor/Tube Rohs Compliant: Yes |Onsemi KSC5502DTTU
NXP SemiconductorsBUJD203A,127
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 425V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
NXP SemiconductorsBUJ303A,127
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Descripciones
Descripciones de onsemi KSC5502TU suministradas por sus distribuidores.
KSC Series NPN 50 W 600 V 2 A High Voltage Silicon Transistor - TO-220-3
NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
1.5V@ 200mA,1A NPN 50W 12V 100μA 1.2KV 600V 2A TO-220-3 Through hole mounting 9.4mm(height)
Trans GP BJT NPN 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -2.65%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)1.2 kV
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage3 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)12 V
hFE Min4
Max Collector Current2 A
Max Frequency1 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation50 W
Schedule B8541290080
Dimensions
Height9.4 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento