onsemi KSC5026MOS
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2001-02-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Tube Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 8 @ 500mA 2V 1.5A 20W 4MHz
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Transistor, bjt, npn,400V V(Br)Ceo,1.5A I(C),to-126 Rohs Compliant: Yes |Onsemi FJE3303H2TU
Diodes Inc.APT13003DU-G1
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126
Descripciones
Descripciones de onsemi KSC5026MOS suministradas por sus distribuidores.
KSC Series NPN 20 W 800 V 1.5 A Silicon Transistor - TO-126-3
Trans GP BJT NPN 800V 1.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
2V@ 150mA,750mA NPN 20W 7V 10¦ÌA 1.1KV 800V 1.5A TO-126-3 8mm*3.25mm*11mm
TRANSISTOR, NPN, 800V, 1.5A, TO-126-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 800V; Transition Frequency ft: 15MHz; Power Dissipation Pd: 20W; DC Collector Current: 1.5A; DC Current Gain hFE: 20hFE; Tran
TRANSISTOR, NPN, 800V, 1.5A, TO-126; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage Max:800V; Continuous Collector Current:1.5A; Power Dissipation:20W; Transistor Mounting:Through Hole; No. of Pins:3Pins; Product Range:- RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-126
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight761 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)1.1 kV
Collector Emitter Breakdown Voltage1.1 kV
Collector Emitter Saturation Voltage2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)800 V
Current Rating1.5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency15 MHz
Gain Bandwidth Product15 MHz
hFE Min20
Max Collector Current1.5 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation20 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency15 MHz
Voltage Rating (DC)800 V
Dimensions
Height14.2 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento