onsemi KSB834WYTM
$ 0.365
EOL
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | KSB834WYTM | 1170 | 2381 | 3d | ||||||||
| Rochester Electronics | KSB834WYTM | 573 | 21h | |||||||||
| DigiKey | KSB834WYTMCT-ND | 212 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Flip Electronics | KSB834WYTM | 1170 | 3d | |||||||||
| Farnell | KSB834WYTM | 0 | 800 | Tape & Reel | 9h |
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -37.25%
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Cadena de suministros
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Componentes relacionados
onsemiNJVMJD45H11G
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Descripciones
Descripciones de onsemi KSB834WYTM suministradas por sus distribuidores.
Transistor, bjt, pnp,60V V(Br)Ceo,3A I(C) Rohs Compliant: Yes |Onsemi KSB834WYTM
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-263AB, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Trans GP BJT PNP 60V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
1V@ 300mA,3A PNP 1.5W 7V 100¦ÌA 60V 60V 3A TO-263 10.67mm*9.65mm*4.83mm
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Tendencia de 3 meses: -37.25%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-60 V
Collector Emitter Saturation Voltage-500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating-3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-7 V
Frequency9 MHz
Gain Bandwidth Product9 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current3 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation1.5 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency9 MHz
Voltage Rating (DC)-60 V
Dimensions
Height5.08 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento