onsemi KSB772YSTU
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2002-07-27
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2024-04-06
LTD Date2024-10-06
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
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Descripciones
Descripciones de onsemi KSB772YSTU suministradas por sus distribuidores.
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT PNP 30V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
KSB772 Series 30 V 3 A 1 W Audio Frequency Power Amplifier - TO-126-3
TRANSISTOR, PNP, -30V, 80MHZ, TO-126-3; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -30V; Transition Frequency ft: 80MHz; Power Dissipation Pd: 10; Available until stocks are exhausted Alternative available
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-126
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight761 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage-300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating-3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency80 MHz
Gain Bandwidth Product80 MHz
hFE Min160
Max Collector Current3 A
Max Frequency80 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation10 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation1 W
Transition Frequency80 MHz
Voltage Rating (DC)-30 V
Dimensions
Height14.2 mm
Length8 mm
Width3.25 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento