onsemi KSB1017YTU
$ 0.514
Obsolete
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | KSB1017YTU | 772 | 2174 | 8h | ||||||||
| Rochester Electronics | KSB1017YTU | 12.574 | 6h | |||||||||
| Verical | KSB1017YTU | 2000 | 673 | |||||||||
| Flip Electronics | KSB1017YTU | 772 | >1wk | |||||||||
| Mouser | 512-KSB1017YTU | 1085 | 1 | Tube |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
Componentes relacionados
onsemiKSB1015YTU
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Descripciones
Descripciones de onsemi KSB1017YTU suministradas por sus distribuidores.
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
TRANSISTOR,BJT,PNP,80V V(BR)CEO,4A I(C),TO-220AB(FP)
Trans GP BJT PNP 80V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
1.7V@ 300mA,3A PNP 25W 5V 30¦ÌA 80V 80V 4A TO-220F 10.16mm*4.7mm*9.19mm
TO-220F-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-80 V
Collector Emitter Saturation Voltage-1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating-4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency9 MHz
Gain Bandwidth Product9 MHz
hFE Min120
Max Collector Current4 A
Max Frequency1 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation25 W
Transition Frequency9 MHz
Voltage Rating (DC)-80 V
Dimensions
Height19.4 mm
Length10.16 mm
Width2.54 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento