onsemi KSA992FBTA
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-08-09
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 6 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
Componentes relacionados
onsemiKSA992FATA
TRANS PNP 120V 0.05A TO92-3 / Bipolar (BJT) Transistor PNP 120 V 50 mA 100MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
onsemiKSB1116AGBU
Bulk Through Hole PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 200 @ 100mA 2V 1A 750mW 120MHz
onsemiKSB564AYBU
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
Descripciones
Descripciones de onsemi KSA992FBTA suministradas por sus distribuidores.
Pnp Epitaxial Silicon Transistor/ Fnfld Rohs Compliant: Yes |Onsemi KSA992FBTA
Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Xsistr
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
50nA 120V 500mW 50mA 500@1mA6V 100MHz 90mV@10mA1mA PNP +150¡Í@(Tj) TO-92-3L Bipolar Transistors - BJT ROHS
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-226-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-120 V
Collector Emitter Breakdown Voltage120 V
Collector Emitter Saturation Voltage-90 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)-120 V
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min300
Max Breakdown Voltage120 V
Max Collector Current50 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation500 mW
Schedule B8541290080
Transition Frequency50 MHz
Dimensions
Height8.77 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento