onsemi KSA473YTU
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Obsolete
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 16 hours ago)
LTB Date2022-01-08
LTD Date2022-07-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 16 hours ago)
Componentes relacionados
onsemiKSB1015YTU
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Descripciones
Descripciones de onsemi KSA473YTU suministradas por sus distribuidores.
Transistor,bjt,pnp,30V V(Br)Ceo,3A I(C),to-220Ab Rohs Compliant: Yes |Onsemi KSA473YTU
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT PNP 30V 3A 10000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
TO-220-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
800mV@ 200mA,2A PNP 10W 5V 1¦ÌA 30V 30V 3A TO-220-3 9.4mm
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -0.09%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage-300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating-3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min120
Max Collector Current3 A
Max Frequency1 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation10 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation10 W
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)-30 V
Dimensions
Height9.4 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento