onsemi KSA1220AYS
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.75
Introduction Date2001-06-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
Componentes relacionados
onsemiKSB744YSTU
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126
Descripciones
Descripciones de onsemi KSA1220AYS suministradas por sus distribuidores.
KSA1220 Series 160 V 1.2 A PNP Epitaxial Silicon Transistor - TO-126
700mV@ 200mA,1A PNP 1.2W 5V 1μA 160V 160V 1.2A TO-126 Through hole mounting 8mm*3.25mm*11mm
Power Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT PNP 120V 1.2A 3-Pin TO-126 Bulk
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -160V, TO-225AA; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -160V; Transition Frequency ft: 175MHz; Power Dissipation Pd: 20W; DC Collector Current: -1.2A; DC Current Gain hFE: 160hFE
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-126
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight761 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-160 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage-400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)160 V
Current Rating-1.2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Gain Bandwidth Product175 MHz
hFE Min160
Max Breakdown Voltage160 V
Max Collector Current1.2 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityPNP
Power Dissipation1.2 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency175 MHz
Voltage Rating (DC)-160 V
Dimensions
Height14.2 mm
Length8 mm
Width3.25 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento