onsemi ISL9V5036P3-F085
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Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2001-07-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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onsemiFGP3040G2-F085
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO / IGBT 400 V 41 A 150 W Through Hole TO-220-3
Rochester ElectronicsIRG6B330UDPBF
330V UltraFast Copack Plasma Display Panel Trench IGBT in a TO-220AB package
STMicroelectronicsSTGP10NB37LZ
Trans IGBT Chip N-CH 440V 20A 125000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Descripciones
Descripciones de onsemi ISL9V5036P3-F085 suministradas por sus distribuidores.
IGBT Single Transistor, 46 A, 1.17 V, 250 W, 360 V, TO-220AB, 3
Trans IGBT Chip N-CH 360V 46A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
TO-220AB, SINGLE, N-CH, 360V, 500MJ ECOSPARK IGNITION IGBT
Insulated Gate Bipolar Transistor, 46A I(C), 360V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
IGBT, SINGLE, 360V, 46A, TO-220AB-3; DC Collector Current: 46A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.17V; Power Dissipation Pd: 250W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 360V; Transistor Case Style: TO-220AB; No. o
The ISL9V5036P3_F085 is the next generation IGBT that offer outstanding SCIS capability in the TO-220 plastic package.This device is intended for use in automotive ignition circuit, specifically as coil driver. Internal diode provide voltage clamping without the need for external component.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Clamping Voltage360 V
Collector Emitter Breakdown Voltage390 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.6 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)360 V
Continuous Collector Current46 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 µs
Max Collector Current46 A
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
Number of Outputs1
Operating Supply Voltage360 V
Power Dissipation250 W
Rise Time7 µs
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time10.8 µs
Turn-On Delay Time700 ns
Dimensions
Height20.4 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento