onsemi IRFM120ATF
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EOL
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | IRFM120ATF | 0 | 4K | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | IRFM120ATF | 0 | 4K | 5h | ||||||||
| Farnell | IRFM120ATF. | 0 | 1 | Cut Tape | 1d | |||||||
| element14 APAC | IRFM120ATF. | 0 | 1 | Cut Tape | 16h | |||||||
| Mouser | 512-IRFM120ATF | 1 | 1 | Tape & Reel |
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Cadena de suministros
Country of OriginSouth Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2025-09-12
LTD Date2026-03-12
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Componentes relacionados
InfineonBSP372NH6327XTSA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 1.8 A, 230 Milliohms, SOT-223, 4 Pins, Surface Mount
Descripciones
Descripciones de onsemi IRFM120ATF suministradas por sus distribuidores.
Power MOSFET, N-Channel, A-FET, 100 V, 2.3 A, 0.2 Ω, SOT-223
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Avnet Japan
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Af 100V 200Mohm Sot223 Rohs Compliant: Yes
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
3LD SURFACE MOUNT PLAS PWR PKG <AZ
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals4
Weight188 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.3 A
Current Rating2.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance200 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time28 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance480 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.4 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.4 W
Rds On Max200 mΩ
Resistance200 MΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height1.8 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento