onsemi HUF75631SK8T

Name: onsemi HUF75631SK8T
Brand: onsemi
SKU: HUF75631SK8T

Mosfet N-ch 100V 5.5A 8-SOP

Obsolete

Ficha técnica

Precio y existencias

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Distributor	SKU		Min
Component Stockers USA	HUF75631SK8T	10.929		0,230	0,220	0,220	0,210	0,210	>1wk
Win Source	WS-HUF75631SK8T	9970	115				0,375	0,336	1h
Anlinkda	HUF75631SK8T	43.334		0,546	0,489	0,445	0,430	0,421	2d
Quest	HUF75631SK8T	12.580		1,300	1,196	0,780	0,598	0,546	23h
ZTZ Technology Limited	HUF75631SK8T	4900		0,657	0,608	0,549	0,519	0,510	1d

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Fichas técnicas y documentos

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IHS

Datasheet11 páginasHace 24 años

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1999-10-08

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2009-12-11

LTD Date2010-06-11

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Detalles

Descripciones

Descripciones de onsemi HUF75631SK8T suministradas por sus distribuidores.

MOSFET N-CH 100V 5.5A 8-SOP

DigiKey

Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 100V, 0.039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

IHS

Field Effect Tube (MOSFET)

Weyland Electronics Group Pte. Ltd.

PWR MOS ULTRAFET 100V/5.5A/.039 OHM N-CH

Avnet

Alias de fabricantes

onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Modelos CAD

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Componentes alternativos

0 piezas disponibles

Especificaciones técnicas

Physical

Case/PackageSOIC

MountSurface Mount

Number of Terminals8

Technical

Continuous Drain Current (ID)5.5 A

Current Rating5.5 A

Drain to Source Breakdown Voltage100 V

Drain to Source Resistance39 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)100 V

Fall Time31 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.225 nF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation2.5 W

Min Breakdown Voltage100 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation2.5 W

Rds On Max39 mΩ

Rise Time23 ns

Turn-Off Delay Time39 ns

Voltage Rating (DC)100 V

Fichas técnicas y documentos

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IHS

Datasheet11 páginasHace 24 años

Cumplimiento

Clasificación ambiental

Lead FreeLead Free

RoHSCompliant

Declaraciones de cumplimiento

Reach Statement8 páginasHace 11 años

Rohs Statement1 páginasHace 12 años

Rohs Statement1 páginasHace 14 años

Reach Statement2 páginasHace 13 años