onsemi HGTG7N60A4D
Obsolete
Precio y existencias
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-03-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
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STMicroelectronicsSTGW20V60F
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed
Descripciones
Descripciones de onsemi HGTG7N60A4D suministradas por sus distribuidores.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
Insulated Gate Bipolar Transistor, 34A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
125W 1.9V withbuilt-indiode 600V 34A TO-247-3 15.87mm*4.82mm*20.82mm
Single Igbt, 600V, 34A; Corriente De Colector Dc:34A; Tensión De Saturación Colector-Emisor Vce(On):1.9V; Disipación De Potencia Pd:125W; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:600V; Núm. De Contactos:3; Temperatura De Trabajo Máx.:150°C |Onsemi HGTG7N60A4D
The HGTP7N60A4D combines the best features of high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. This IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at high frequencies where low conduction losses are essential. This device has been optimized for fast switching applications, such as UPS and welder.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.39 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.7 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Continuous Collector Current34 A
Current Rating34 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time85 ns
Max Collector Current34 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation125 W
Reverse Recovery Time22 ns
Rise Time11 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time100 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height24.75 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento