onsemi H11D3SM
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Cadena de suministros
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.40.80.00
Introduction Date1987-08-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
VishayCNY17-4X007T
Vishay CNY17-4X007T DC Input Transistor Output Optocoupler, Surface Mount, 6-pin PDIP
Descripciones
Descripciones de onsemi H11D3SM suministradas por sus distribuidores.
Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor With Base DC-OUT 6-Pin PDIP SMD White Bulk
6-pin DIP High Voltage Phototransistor Output Optocoupler
Transistor Output Optocoupler, 1-Element, 7500V Isolation
Optocoupler, Transistor, 4.17Kv, Smdip-6; No. Of Channels:1 Channel; Optocoupler Case Style:Surface Mount Dip; No. Of Pins:6Pins; Forward Current If Max:80Ma; Isolation Voltage:4.17Kv; Ctr Min:20%; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi H11D3SM
The 4N38M, H11D1M, H11D3M, and MOC8204M are phototransistor-type optically coupled optoisolators. A gallium arsenide infrared emitting diode is coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic six-pin dual-in-line package.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSMD/SMT
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Weight810 mg
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage200 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)200 V
Current Transfer Ratio20 %
Dark Current100 nA
Fall Time5 µs
Forward Current80 mA
Forward Voltage1.5 V
Isolation Voltage7500 Vrms
Max Collector Current100 mA
Max Input Current80 mA
Max Junction Temperature (Tj)125 °C
Max Operating Temperature100 °C
Max Output Voltage200 V
Max Power Dissipation400 mW
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Output Current per Channel100 mA
Power Dissipation420 mW
Reverse Breakdown Voltage6 V
Reverse Voltage6 V
Rise Time5 µs
Turn-Off Delay Time5 µs
Turn-On Delay Time5 µs
Dimensions
Height4.8 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento