onsemi H11B1SR2M
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.40.80.00
Introduction Date2001-05-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
VishayCNY17-3X007T
Optocoupler, Transistor Output, 1 Channel, Surface Mount DIP, 6 Pins, 60 mA, 5 kV, 100 %
Vishay4N35-X009T
Single Channel 30 V 5000 Vrms Surface Mount Optocoupler Phototransistor - DIP-6
Descripciones
Descripciones de onsemi H11B1SR2M suministradas por sus distribuidores.
6-Pin DIP Photodarlington Output Optocoupler. ONSSPCISTNJZ8E4V;
Optocoupl DC-IN 1-CH DARL W/Base DC-OUT 6-Pin PDIP SMD White T/R
Darlington Output Optocoupler, 1-Element, 7500V Isolation
OPTOCOUPLER, DARLINGTON, 4.17KV, SMDIP-6;
Transistor Output Optocouplers Photodarlington
Optoisolator Darlington with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-SMD
6Pw Darl T&r Rohs Compliant: Yes |Onsemi H11B1SR2M
OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD
The 4N29M, 4N30M, 4N32M, 4N33M, H11B1M and TIL113M have a gallium arsenide infrared emitter optically coupled to a silicon planar photodarlington.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -10.04%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSMD/SMT
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Weight810 mg
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage25 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Transfer Ratio500 %
Dark Current100 nA
Fall Time18 µs
Forward Current80 mA
Forward Voltage1.5 V
Isolation Voltage4170 Vrms
Max Collector Current150 mA
Max Input Current80 mA
Max Junction Temperature (Tj)125 °C
Max Operating Temperature100 °C
Max Output Voltage30 V
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Output Current per Channel150 mA
Power Dissipation270 mW
Reverse Breakdown Voltage3 V
Reverse Voltage3 V
Rise Time25 µs
Schedule B8541408000
Turn-Off Delay Time18 µs
Turn-On Delay Time25 µs
Dimensions
Height4.8 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento