onsemi FQPF9P25YDTU
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Obsolete
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2015-01-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2022-06-23
LTD Date2022-12-23
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi FQPF9P25YDTU suministradas por sus distribuidores.
P-Channel QFET® MOSFET -250 V, -6 A, 620 mΩ
Trans MOSFET P-CH 250V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
Qf -250V 620Mohm To220Fyd/Tube Rohs Compliant: Yes |Onsemi FQPF9P25YDTU
250V 6A 480m´Î@10V3A 50W 5V@250uA 27pF@25V P Channel 910pF@25V 29nC@10V -55¡Í~+150¡Í@(Tj) TO-220F MOSFETs ROHS
50W(Tc) 30V 5V@ 250¦ÌA 38nC@ 10 V 1P 250V 620m¦¸@ 3A,10V 6A 1.18nF@25V TO-220F-3,Y-FORMING 10.36mm*4.9mm*16.07mm
P-CH/250V/6A/0.62OHM, Y-FORMED LEAD
RAIL / P-CH/250V/6A/0.62OHM, Y-
This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight2.565 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Drain to Source Breakdown Voltage-250 V
Drain to Source Resistance620 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-250 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.18 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation50 W
Rds On Max620 mΩ
Resistance620 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height19.4 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento