onsemi FQPF5N40
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MOSFET, N-CH, 400V, 10A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dra
Descripciones
Descripciones de onsemi FQPF5N40 suministradas por sus distribuidores.
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 400 V, 3.0 A, 1.6 Ω, TO-220F
35W(Tc) 30V 4V@ 250µA 13nC@ 10V 1individualNChannel 400V 1.6Ω@ 1.5A,10V 3A 460pF@25V TO-220F Through hole mounting 10.36mm*4.9mm*16.07mm
MOSFET, N-CH, 400V, 3A, TO-220F; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 3A; Drain Source Voltage Vds: 400V; On Resistance Rds(on): 1.27ohm; Rd; Available until stocks are exhausted Alternative available
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Current Rating3 A
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance1.6 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance460 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation35 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation35 W
Rds On Max1.6 Ω
Recovery Time190 ns
Rise Time60 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)400 V
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento