Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: Restocked
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi FQPF3N80.
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-11-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-12-04
LTD Date2010-06-04
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTF2LN60K3
N-channel 600 V, 4 Ohm typ., 2 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in TO-220FP package
Descripciones
Descripciones de onsemi FQPF3N80 suministradas por sus distribuidores.
800V N-Channel MOSFET | MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220F
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFETs 800V N-Channel QFET
N-CHANNEL POWER MOSFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: Restocked
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.8 A
Current Rating1.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance690 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation39 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation39 W
Rds On Max5 Ω
Rise Time40 ns
Turn-Off Delay Time30 ns
Voltage Rating (DC)800 V
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi FQPF3N80.
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento