onsemi FQPF27P06
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-10-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi FQPF27P06 suministradas por sus distribuidores.
Power MOSFET, P-Channel, QFET®, -60 V, -17 A, 26 mΩ, TO-220F
P-Channel 60 V 70 mOhm Flange Mount Mosfet - TO-220F
onsemi P-Ch MOSFET QFET Series Vds=60V 19A TO-220 TH 3-Pin
MOSFET, P CH, -60V, -17A, TO-220F-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-17A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):0.055ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:47W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-220F; No. of Pins:3; MSL:-; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Current Rating-17 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance70 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)-60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time90 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.4 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation47 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation47 W
Rds On Max70 mΩ
Resistance70 MΩ
Rise Time185 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-2 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Voltage Rating (DC)-60 V
Dimensions
Height19.5 mm
Length10.67 mm
Width4.7 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento