onsemi FQPF11N40C
Obsolete
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-10-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-06-23
LTD Date2022-12-23
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi FQPF11N40C suministradas por sus distribuidores.
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 400 V, 10.5 A, 530 mΩ, TO-220F
Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 400V, 0.53ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)10.5 A
Current Rating10.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance530 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time81 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.09 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation44 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation44 W
Rds On Max530 mΩ
Rise Time89 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time81 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)400 V
Dimensions
Height9.19 mm
Length10.16 mm
Width4.7 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento