Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | FQP11N50CF | 950 | 181 | |||||||||
| Rochester Electronics | FQP11N50CF | 2116 | 13h | |||||||||
| Microchip USA | FQP11N50CF | 337 | 150 | Tube | 5h | |||||||
| Worldway Electronics | FQP11N50CF | 17.575 | 7 | Tube | 13h | |||||||
| Anlinkda | FQP11N50CF | 23.414 | 21h |
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: Restocked
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi FQP11N50CF.
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-07-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-12-04
LTD Date2010-06-04
Descripciones
Descripciones de onsemi FQP11N50CF suministradas por sus distribuidores.
MOSFET N-CH 500V 11A TO-220
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs N-CH/400V /11A/CFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance550 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time75 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.055 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation195 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation195 W
Rds On Max550 mΩ
Rise Time70 ns
Turn-Off Delay Time120 ns
Fichas técnicas y documentos
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