onsemi FQN1N60CTA
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-09-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
Componentes relacionados
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N-channel 600 V, 13 Ohm typ., 0.3 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-92 package
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STQ1HNK60R-AP N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 0.4 A, 600 V, 3-PIN TO-92
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Mosfet Transistor, N Channel, 600 Ma, 450 V, 3.2 Ohm, 10 V, 3.75 V Rohs Compliant: Yes
Descripciones
Descripciones de onsemi FQN1N60CTA suministradas por sus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 600 V, 0.3 A, 11.5 Ω, TO-92
N-Channel 600 V 11.5 Ohm Through Hole Mosfet - TO-92-3
600 V N-CHANNEL MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92
MOSFET, N-CH, 600V, 0.3A, TO-226AA-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 300mA; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 9.3; Available until stocks are exhausted Alternative available
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-92-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)300 mA
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance11.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance470 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1 W
Rds On Max50 mΩ
Resistance11.5 Ω
Rise Time21 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height8.77 mm
Length5.2 mm
Width4.19 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento