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Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi FQI2N90TU.
Descripciones
Descripciones de onsemi FQI2N90TU suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 900V 2.2A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 900V, 7.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, I2PAK-3
3.13W(Ta)£¬85W(Tc) 5V@ 250¦ÌA 15nC@ 10V 1individualNChannel 900V 7.2¦¸@ 1.1A,10V 500pF@25V I2PAK£¬TO-262 Through hole mounting
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: Restocked
Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.2 A
Current Rating2.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance7.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance500 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation85 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.13 W
Rds On Max7.2 Ω
Rise Time35 ns
Turn-Off Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)900 V
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento