onsemi FQD7P20TM
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-12-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi FQD7P20TM suministradas por sus distribuidores.
P-Channel Power MOSFET, QFET®, -200 V, -5.7 A, 690 mΩ, DPAK
FQD7P20TM Series -200 V -5.7 A 690 mOhm SMT P-Channel QFET Mosfet - DPAK-3
Trans MOSFET P-CH 200V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
Power MOSFET, P Channel, 200 V, 5.7 A, 0.69 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 200V, 0.69ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:200V; Continuous Drain Current, Id:5.7mA; On Resistance, Rds(on):0.69ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:5V
This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.7 A
Current13 A
Current Rating-5.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage-200 V
Drain to Source Resistance690 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time42 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance770 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation55 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max690 mΩ
Resistance690 mΩ
Rise Time110 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-5 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage150 V
Voltage Rating (DC)-200 V
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.6 mm
Width6.1 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento