onsemi FQB9N08TM
$ 0.37
Obsolete
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: Restocked
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi FQB9N08TM.
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-09-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-03-11
LTD Date2008-09-11
Componentes relacionados
Descripciones
Descripciones de onsemi FQB9N08TM suministradas por sus distribuidores.
MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK / N-Channel 80 V 9.3A (Tc) 3.75W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 80V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 80V N-Channel QFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: Restocked
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.3 A
Current Rating9.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance210 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance250 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation3.75 W
Rds On Max210 mΩ
Rise Time28 ns
Turn-Off Delay Time9 ns
Voltage Rating (DC)80 V
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi FQB9N08TM.
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento