onsemi FQB8N90CTM
$ 1.45
Production
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Flip Electronics | FQB8N90CTM | 75.200 | >1wk | |||||||||
| Newark | FQB8N90CTM | 0 | 800 | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | FQB8N90CTM | 0 | 800 | 7h | ||||||||
| Farnell | FQB8N90CTM | 0 | 800 | Tape & Reel | 5h | |||||||
| Mouser | 512-FQB8N90CTM | 456 | 1 | Tape & Reel |
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Modelos CAD
Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de onsemi FQB8N90CTM desde uno de nuestros socios de confianza.
| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Footprint | Descargar | |
 Ultra Librarian | SímboloFootprint | Descargar |
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2006-01-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTB10N65K3
N-channel 650 V, 0.75 Ohm typ., 10 A Zener-protected SuperMESH3(TM) Power MOSFET in D2PAK package
InfineonIPB65R125C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK / N-Channel 650 V 18A (Ta) 101W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Descripciones
Descripciones de onsemi FQB8N90CTM suministradas por sus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 900 V, 6.3 A, 1.9 Ω, D2PAK
MOSFET N-CH 900V 6.3A D2PAK / Trans MOSFET N-CH 900V 6.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 900V, 1.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switch mode power supplies.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance1.9 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time70 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.08 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation171 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
Rds On Max1.9 Ω
Rise Time110 ns
Turn-Off Delay Time70 ns
Turn-On Delay Time40 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento