Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: Restocked
Modelos CAD
0 models available
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi FQAF17P10.
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-10-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi FQAF17P10 suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET P-CH 100V 12.4A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Rail
56W(Tc) 4V@ 250¦ÌA 39nC@ 10V 1P 100V 190m¦¸@ 6.2A,10V 1.1pF@25V TO-3PF
Power Field-Effect Transistor, 12.4A I(D), 100V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
P-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 100V P-Channel QFET
MISCELLANEOUS MOSFETS;
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: Restocked
Modelos CAD
0 models available
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSC
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)12.4 A
Current Rating-12.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time100 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.1 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation56 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation56 W
Rds On Max190 mΩ
Rise Time200 ns
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Voltage Rating (DC)-100 V
Dimensions
Height29.4 mm
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para onsemi FQAF17P10.