onsemi FQAF11N90C
$ 2.971
Production
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | FQAF11N90CFS-ND | 110 | 1 | Tube | ||||||||
| Flip Electronics | FQAF11N90C | 96.120 | 6d | |||||||||
| Newark | FQAF11N90C | 0 | 360 | |||||||||
| Avnet | FQAF11N90C | 0 | 360 | 17h | ||||||||
| Farnell | FQAF11N90C | 0 | 1 | 1d |
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -0.13%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-12-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi FQAF11N90C suministradas por sus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 900 V, 7 A, 1.1 Ω, TO-3PF
MOSFET, N-CH, 900V, 7A, 150DEG C, 120W; Available until stocks are exhausted Alternative available
Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Rail
Avnet Japan
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 900V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
120W(Tc) 30V 5V@ 250¦ÌA 80nC@ 10V 1N 900V 1.1¦¸@ 3.5A,10V 7A 3.29nF@25V TO-3PF 15.7mm*5.7mm*26.7mm
RAIL/N-CH/900V/11A/A.QFET C_Series
900V N-Channel Advance QFET® C-series
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -0.13%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSC
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight6.962 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)7 A
Current Rating11 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance1.1 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time85 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance3.29 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation120 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation120 W
Rds On Max1.1 Ω
Rise Time130 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time130 ns
Turn-On Delay Time60 ns
Voltage Rating (DC)900 V
Dimensions
Height29.9 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento