onsemi FMBA06
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1998-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.DSM80101M-7
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
PanasonicDMG204020R
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
Descripciones
Descripciones de onsemi FMBA06 suministradas por sus distribuidores.
Transistor, bjt, pair, npn,80V V(Br)Ceo,500Ma I(C),so Rohs Compliant: Yes |Onsemi FMBA06
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R
This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300 mA. Sourced from Process 33.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-6
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight36 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating500 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)4 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current500 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation700 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PolarityNPN
Power Dissipation700 mW
Schedule B8541290080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height900 µm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento