onsemi FJB5555TM
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-02-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
NXP SemiconductorsBUJ105AB,118
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Descripciones
Descripciones de onsemi FJB5555TM suministradas por sus distribuidores.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 400 V, 5 A, 100 W, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
FJB Series NPN 1.6 W 400 V 5 A Surface Mount Silicon Transistor - D2PAK-3
Trans GP BJT NPN 400V 5A 1600mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 1-Element, NPN
400V 100W 5A 20@800mA3V NPN 170mV@1A200mA -55¡Í~+150¡Í@(Tj) D2PAK-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
The FJB5555 is a 1050 V 5 A NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor. The FJB5555 is designed for high speed switching applications which utilizes the industry standard surface mount TO-263 (D2PAK)package offering flexibility in design and excellent Power Dissipation.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)1.05 kV
Collector Emitter Breakdown Voltage400 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)400 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)14 V
hFE Min20
Max Breakdown Voltage400 V
Max Collector Current5 A
Max Frequency1 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
PolarityNPN
Schedule B8541290080
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento