onsemi FGH75T65SQDT-F155
$ 2.952
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-06-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi FGH75T65SQDT-F155 suministradas por sus distribuidores.
IGBT, 650 V, 75 A Field Stop Trench 650V 75A FS4 TRENCH IGBT
375W -55℃~+175℃@(Tj) 150A 650V Trench Field Stop 300A 0.07mJ 0.3mJ TO-247AC-3 IGBTs ROHS
IGBT Trench Field Stop 650 V 150 A 375 W Through Hole TO-247-3
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247-3
FIELD STOP TRENCH IGBT, 650V/150A, TO247; DC Collector Current: 150A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.6V; Power Dissipation Pd: 375W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-247; No
Using novel field stop IGBT technology, ON semiconductor’s new series of field stop 4th generation IGBTs offer he optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight6.39 g
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage2.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Max Collector Current150 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Fichas técnicas y documentos
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