onsemi FGH50T65UPD
$ 3.6
NRND
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Modelos CAD
Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de onsemi FGH50T65UPD desde uno de nuestros socios de confianza.
| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SímboloFootprint | ||
 Ultra Librarian | SímboloFootprint | Descargar |
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-12-07
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE, NOT REC (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
InfineonIKW40N65H5FKSA1
650V DuoPack IGBT and Diode High speed switching series fifth generation
STMicroelectronicsSTGW50H60DF
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 360000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Descripciones
Descripciones de onsemi FGH50T65UPD suministradas por sus distribuidores.
650V, 50A, Field Stop Trench IGBT 650V, 50A, Field Stop Trench IGBT
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 340mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AB
IGBT Transistors 650 V 100 A 240 W
Fs1Tigbt To247 50A 650V Rohs Compliant: Yes
IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Using innovative field stop trench IGBT technology, Fairchild’s new series of field stop trench IGBTs offer optimum performance for solar inverter, UPS, welder, and digital power generator where low conduction and switching losses are essential.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.39 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.65 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Continuous Collector Current100 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time29 ns
Max Collector Current100 A
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation340 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation340 W
Reverse Recovery Time53 ns
Rise Time77 ns
Turn-Off Delay Time160 ns
Turn-On Delay Time32 ns
Dimensions
Height24.75 mm
Length15.87 mm
Width4.82 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento