onsemi FGH50T65SQD-F155
$ 2.175
Production
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Tendencia de 3 meses: -0.25%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-04-22
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi FGH50T65SQD-F155 suministradas por sus distribuidores.
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 268000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
268W 100A 650V FS(Field Stop) TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AB
IGBT, 650 V, 50A Field Stop 4 Trench
IGBT Transistors 650V FS4 Trench IGBT
Discrete IGBTs; FGH50T65SQD-F155; ON SEMICONDUCTOR
268W 1.6V 650V 100A TO-247-3 15.62mm*4.7mm*24.38mm
IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Using novel field stop IGBT technology, Fairchild’s new series of field stop 4th generation IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -0.25%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight6.39 g
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage2.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Max Collector Current100 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation268 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Schedule B8541290080
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento