onsemi FGH25T120SMD-F155
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2013-07-22
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 days ago)
LTB Date2024-01-03
LTD Date2024-07-03
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
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TUBE / 1200V Trench IGBT for Induction Cooking 50A COPAK-247 ;RoHS Compliant: Yes
STMicroelectronicsSTGW25H120F2
STGW25H120F2 Series 1200 V 50 A Trench Gate Field-Stop IGBT - TO-247-3
Descripciones
Descripciones de onsemi FGH25T120SMD-F155 suministradas por sus distribuidores.
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
1200 V 50 A 428 W Through Hole Field Stop Trench IGBT - TO-247-3
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AB
IGBT, 1200V, 25A Field Stop Trench
RAIL/1200V 25A FS2 Trench IGBT
IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Using innovative field stop trench IGBT technology, Fairchild’s new series of field stop trench IGBTs offer the optimum performance for hard switching application such as solar inverter, UPS, welder and PFC applications.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.39 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage2.4 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Continuous Collector Current50 A
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current50 A
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation428 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation428 W
Reverse Recovery Time60 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time490 ns
Turn-On Delay Time40 ns
Dimensions
Height24.75 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento