onsemi FGD3245G2-F085
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Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2014-05-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
Componentes relacionados
onsemiFGD3440G2-F085
Trans IGBT Chip N-CH 390V 26.9A 166000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
STMicroelectronicsSTGD19N40LZ
Trans IGBT Chip N-CH 365V 25A 125000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Descripciones
Descripciones de onsemi FGD3245G2-F085 suministradas por sus distribuidores.
ECOSPARK2-450V Ignition Igbt - TO252 (d-pak), Molded, 3 Lead, Option Aa&ab
ECOSPARK2-450V IGNITION IGBT / Trans IGBT Chip N-CH 450V 23A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 480V 23A 3-Pin TO-252AA T/R
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 440V V(BR)CES, N-Channel
IGBT Transistors EcoSPARK2-450V Ignition IGBT
ON Semiconductor, FGD3245G2-F085
RS APAC
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
TRANSISTOR, IGBT, 450V, 23A, TO252AA; DC Collector Current:23A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.13V; Power Dissipation Pd:150W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:450V; Transistor Case Style:TO-252AA; No.
The FGB3245G2_F085 and FGD3245G2 are N-channel IGBTs designed in Fairchild's EcoSPARK® 2 technology, which helps in eliminating external protection circuitry. The technology is optimized for driving the coil in the harsh environment of automotive ignition systems and offers outstanding Vsat and SCIS Energy capability also at elevated operating temperatures. The logic level gate input is ESD protected and features an integrated gate resistor. An integrated zener-circuitry clamps the IGBT's collecter- to-emitter voltage at 450 V, which enables systems requiring a higher spark voltage.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Clamping Voltage450 V
Collector Emitter Breakdown Voltage450 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.25 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)440 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 µs
Max Breakdown Voltage450 V
Max Collector Current23 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rise Time7 µs
Schedule B8541290080
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento