onsemi FGD3040G2-F085
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| Avnet | FGD3040G2-F085 | 18.837 | 2500 | 1d | ||||||||
| Newark | FGD3040G2-F085 | 2 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | FGD3040G2-F085CT-ND | 853 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Flip Electronics | FGD3040G2-F085 | 18.837 | 7d | |||||||||
| Onlinecomponents.com | FGD3040G2-F085 | 0 | 25 | Bulk |
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 EE Concierge | SímboloFootprint | ||
 SnapEDA | Footprint | Descargar | |
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Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-11-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
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Trans IGBT Chip N-CH 365V 25A 125000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Descripciones
Descripciones de onsemi FGD3040G2-F085 suministradas por sus distribuidores.
Ecospark 2 300Mj 400 V N-Channel Ignition IGBT Surface Mount IGBT - TO-252AA
Trans IGBT Chip N=-CH 390V 25.6A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23.2A I(C), 390V V(BR)CES, N-Channel, TO-252
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Thin Film Resistors - SMD 13kOhm,0805,0.1%,25p pm,100mW,100V
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Avnet Japan
TRANSISTOR, ECOSPARK2, 300MJ AT TJ 25C, 400V, N-CHANNEL IGNITION IBGT
晶体管, IGBT, AECQ101, 400V, 41A, 175度 C, 150W;
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FGD3040G2_F085 Fairchild/ON Semiconductor
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FGD3040G2_F085 - ECOSPARK2 IGN-I
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Clamping Voltage400 V
Collector Emitter Breakdown Voltage400 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.15 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)390 V
Continuous Collector Current41 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 µs
Max Breakdown Voltage400 V
Max Collector Current23.2 A
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Rise Time7 µs
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time4.8 µs
Turn-On Delay Time900 ns
Dimensions
Height2.517 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento