onsemi FGA40T65SHDF
$ 1.956
EOL
Precio y existencias
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | FGA40T65SHDF | 478 | 472 | 4d | ||||||||
| Rochester Electronics | FGA40T65SHDF | 1250 | 6h | |||||||||
| DigiKey | FGA40T65SHDF-ND | 73 | 1 | Tube | ||||||||
| Flip Electronics | FGA40T65SHDF | 478 | 6d | |||||||||
| Farnell | FGA40T65SHDF | 0 | 450 | Tube | 6h |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-12-19
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 days ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
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InfineonIKW40N65WR5XKSA1
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
Descripciones
Descripciones de onsemi FGA40T65SHDF suministradas por sus distribuidores.
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO / IGBT Trench Field Stop 650 V 80 A 268 W Through Hole TO-3PN
650V FS Gen3 Trench IGBT - 3LD, TO3PN, PLASTIC, EIAJ SC-65, ISOLATED
Using novel field stop IGBT technology, Fairchild’s new series of field stop 3rd generation IGBTs offer superior conduction and switching performance and easy parallel operation. This device is well suited for the resonant or soft switching application such as induction heating and MWO.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight6.401 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage650 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.81 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)650 V
Continuous Collector Current80 A
Max Collector Current80 A
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation268 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation268 W
Reverse Recovery Time101 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time64 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height23.8 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento