onsemi FDZ391P
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Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-09-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2020-11-13
LTD Date2021-05-13
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Componentes relacionados
onsemiFDMA6023PZT
Supplied as a Tape, Dual P-Channel MOSFET, 3.6 A, 20 V, 6-Pin MLP ON Semiconductor FDMA6023PZT
VishaySI2301CDS-T1-E3
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R / MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
NXP SemiconductorsPMDPB65UP,115
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Diodes Inc.DMP2160U-7
DMP2160U Series 20 V 80 mOhm P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
Descripciones
Descripciones de onsemi FDZ391P suministradas por sus distribuidores.
P-Channel PowerTrench® Thin WL-CSP MOSFET -20V, -3A, 85mΩ
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin WLCSP T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Transistor; Transistor Polarity:P Channe
Transistor; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):74mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-600mV; Power Dissipation Pd:1.9W ;RoHS Compliant: Yes
Designed on Fairchild's advanced 1.5 V PowerTrench process with state of the art "low pitch" Thin WLCSP packaging process, the FDZ391P minimizes both PCB space and RDS(on). This advanced WLCSP MOSFET embodies a breakthrough in packaging technology which enables the device to combine excellent thermal transfer characteristics, ultra-low profile packaging, low gate charge, and low RDS(on).
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight64 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance200 mΩ
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance1.065 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.9 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation1.9 W
Rds On Max85 mΩ
Rise Time10 ns
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height400 µm
Length1 mm
Width1.5 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento