onsemi FDT86256
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Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-08-18
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 days ago)
LTB Date2024-01-03
LTD Date2024-07-03
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
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Descripciones
Descripciones de onsemi FDT86256 suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH Si 150V 1.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 1.2A, 845mΩ
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MOSFET, N-CH, 150V, 3A, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.695ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; Pow
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and switching loss. G-S zener has been added to enhance ESD voltage level.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -4.58%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Terminals4
Weight188 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance845 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance73 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation10 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.3 W
Rds On Max845 mΩ
Rise Time1.7 ns
Turn-Off Delay Time4.8 ns
Turn-On Delay Time2.7 ns
Dimensions
Height1.8 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento