onsemi FDS9958-F085
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Cadena de suministros
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-11-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 22 hours ago)
LTB Date2020-01-24
LTD Date2020-07-24
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 22 hours ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.DMN6070SSD-13
DMN6070 Series 60 V 3.3 A 80 mOhm Dual N-Ch. Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
InfineonIRF7342TRPBF
MOSFET, Power;Dual P-Ch;VDSS -55V;RDS(ON) 0.105Ohm;ID -3.4A;SO-8;PD 2W;VGS +/-20
Descripciones
Descripciones de onsemi FDS9958-F085 suministradas por sus distribuidores.
Dual P-Channel PowerTrench® MOSFET -60V, -2.9A, 105mΩ
2W 20V 3V@ 250¦ÌA 23nC@ 10V 2P 60V 105m¦¸@ 2.9A,10V 2.9A 1.02nF@30V SOIC-8 4.9mm*3.9mm*1.75mm
Trans MOSFET Array Dual P-CH 60V 2.9A 8-Pin SOIC N T/R
MOSFET, AEC-Q101, DUAL P-CH, -60V, SOIC; Transistor Polarity: Dual P Channel; Continuous Drain Current Id: -2.9A; Drain Source Voltage Vds: -60V; On Resistance Rds(on): 0.082ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Volt
These P-channel logic level specified MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance These devices are well suited for portable electronics applications: load switching and power management, battery charging and protection circuits.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight230.4 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance105 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationDual
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.02 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max105 mΩ
Rise Time3 ns
Turn-Off Delay Time27 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento